Silikon Karbida Gemuruh

Dalam dua tahun yang lalu, bahan semikonduktor generasi ketiga silikon karbida (SiC) bertiup sangat kuat, seperti guruh. Tahun lepas, beberapa media akan menjadi 2021 sebagai "tahun letupan silikon karbida". Tahun ini, ada orang akan 2022 sebagai "aplikasi cip kuasa silikon karbida tahun baru", saya tidak tahu sama ada tahun depan akan dapat menghasilkan slogan baharu (di sini rujuk "abad ke-21 ialah abad biologi"). Pasaran modal juga adalah angin, dan silikon karbida menggosok sedikit tepi subjek semakin meningkat.

SiC adalah bahan yang paling sesuai untuk peranti kuasa.

Bahan semikonduktor yang terdiri daripada silikon telah mengubah kehidupan kita, saya percaya bahawa pada masa hadapan untuk masa yang lama, semikonduktor silikon masih akan menjadi arus perdana. Semasa pembangunan bahan silikon selama beberapa dekad, beberapa masalah telah dihadapi, dan ramai orang telah cuba menggantikannya dengan bahan yang berbeza. Bahan semikonduktor juga telah membangunkan tiga generasi. Silikon karbida adalah generasi ketiga bahan semikonduktor. Oleh kerana SiC mempunyai lebar jalur terlarang yang luas, yang membawa kepada sifat material seperti kekuatan medan elektrik pecahan tinggi. Mendapat manfaat daripada sifat bahan SiC, peranti kuasa SiC mempunyai kelebihan seperti rintangan voltan tinggi, saiz kecil, penggunaan kuasa rendah dan rintangan suhu tinggi.

Kelebihan ini terutamanya ditunjukkan dalam peranti kuasa. Berdasarkan ciri-ciri yang disebutkan di atas, spesifikasi yang sama SiC-MOSFET berbanding dengan Si-MOSFET, pada rintangan dikurangkan kepada 1/200, saiznya dikurangkan kepada 1/10; spesifikasi yang sama bagi penggunaan penyongsang SiC-MOSFET dan penggunaan Si-IGBT berbanding jumlah kehilangan tenaga adalah kurang daripada 1/4.

Peranti kuasa adalah salah satu komponen asas penting dalam industri elektronik kuasa, digunakan secara meluas dalam peralatan kuasa elektrik, penukaran kuasa dan kawalan litar dan bidang lain, adalah produk semikonduktor teras yang sangat diperlukan dalam sistem perindustrian. Pertumbuhan pesat kenderaan tenaga baharu untuk peranti kuasa telah membawa ruang yang luas untuk pembangunan. MOSFET silikon karbida untuk menggantikan IGBT berasaskan silikon adalah trend.

SiC-MOSFET mempunyai rintangan pada yang rendah dan kehilangan pensuisan yang rendah, yang lebih sesuai untuk aplikasi dalam litar frekuensi tinggi. Dalam pengawal motor kenderaan tenaga baharu, bekalan kuasa kenderaan, penyongsang solar, longgokan pengecasan, UPS dan bidang lain mempunyai pelbagai aplikasi.
Mengenai silikon karbida, kami masih mempunyai beberapa perkara yang perlu dijelaskan.

Pertama, SiC bukanlah pengganti penuh untuk silikon. Kelebihan silikon karbida ialah rintangan tekanan tinggi, rintangan suhu tinggi, kehilangan tenaga yang rendah, tetapi kelebihan ini tidak ditunjukkan dalam produk elektronik pengguna. Sebaliknya, wafer SiC sukar disediakan, kosnya terlalu tinggi, dan etsa sukar, jadi ia tidak dapat menggantikan sepenuhnya bahan silikon.

Kedua, prestasi silikon karbida dan galium nitrida mempunyai fokus mereka sendiri, kawasan aplikasi yang berbeza. SiC memfokuskan pada voltan tinggi, GaN memfokuskan pada frekuensi tinggi, kedua-dua bahan tidak mempunyai banyak sifat kompetitif, dan senario aplikasi tidak sama.

Di samping itu, walaupun medan berfaedah SiC - peranti kuasa, SiC bukanlah IGBT berasaskan silikon yang dominan tidak mustahil untuk digunakan.

Shengyang New Materials Co., Ltd. komited untuk menghasilkan produk pemprosesan silikon karbida dan silikon karbida, dan boleh menyesuaikan pelbagai komponen silikon karbida mengikut keperluan pelanggan. Jika perlu, sila hubungi kami.
Telefon:+8618560961205
Email sales@zbsyxc.com
WhatsApp:+86139694302243